Eletrônica de potência
September 4, 2026
Semicondutores de potência SiC e GaN — Por que a WBG possibilita a velocidade
Os MOSFETs de SiC e os HEMTs de GaN utilizam bandgaps mais amplos e campos críticos mais elevados do que o silício para permitir uma comutação eficiente em alta frequência. Este guia aborda física, perdas, acionamento de gate, EMI, confiabilidade e aplicações com equações.
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