Électronique de puissance
September 4, 2026
Semiconducteurs de puissance SiC et GaN — Pourquoi la bande interdite à large bande (WBG) permet la vitesse
Les transistors MOSFET en SiC et les transistors HEMT en GaN utilisent des bandes interdites plus larges et des champs critiques plus élevés que le silicium pour permettre une commutation efficace à haute fréquence. Ce guide aborde la physique, les pertes, la commande de grille, les interférences électromagnétiques, la fiabilité et les applications, en présentant les équations correspondantes.
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