SiC MOSFET과 GaN HEMT는 실리콘보다 넓은 밴드갭과 높은 임계 전계를 사용하여 효율적인 고주파 스위칭을 구현합니다. 이 가이드에서는 물리적 특성, 손실, 게이트 구동, EMI, 신뢰성 및 응용 분야에 대한 내용을 방정식과 함께 다룹니다.