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SiC 和 GaN 功率半导体——宽禁带结构如何提升速度

碳化硅 MOSFET 和氮化镓 HEMT 采用比硅更宽的带隙和更高的临界电场，从而实现高效的高频开关。本指南涵盖物理原理、损耗、栅极驱动、电磁干扰、可靠性以及应用（含相关公式）。