Elettronica di potenza
Elettronica di potenza — Un percorso strutturato in robotica, controllo, agricoltura in ambiente controllato, energia ed elettronica di potenza.
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Dal controllo della velocità del motore al FOC: corrente, coppia e anelli annidati
Comprendere come il controllo della velocità richiede corrente e come FOC collega la rotazione coordinates, electrical angle and limits.
Fundamentals · 5 min di lettura
Elettronica di potenza
September 7, 2026
Introduzione all'elettronica di potenza: utilizzo di interruttori a semiconduttore per trasformare tensione, corrente e frequenza.
L'elettronica di potenza è la tecnologia che permette di rimodellare l'energia elettrica attivando e disattivando ad alta velocità interruttori a semiconduttore. Questo articolo collega raddrizzatori, convertitori DC-DC, inverter, PWM, SiC/GaN, azionamenti per motori, interconnessione alla rete e progettazione termica con la matematica e le forme d'onda, spiegando perché è importante per i veicoli elettrici, le energie rinnovabili e i data center.
Fundamentals · 8 min di lettura Elettronica di potenza September 4, 2026Convertitori DC-DC: Buck, Boost e Isolamento
Un convertitore CC-CC divide la corrente continua e immagazzina energia in induttori o trasformatori per produrre un'altra tensione continua. Questa guida spiega il funzionamento, il controllo, le perdite e la sicurezza dei convertitori buck, boost, buck-boost, flyback, LLC e DAB con diagrammi ed equazioni.
Fundamentals · 5 min di lettura Elettronica di potenza September 4, 2026Circuiti inverter: conversione della corrente continua in corrente alternata
Un inverter modula la corrente continua (CC) tramite interruttori a semiconduttore e sintetizza la tensione, la frequenza e la fase della corrente alternata (CA) necessarie al carico. Questa guida illustra le topologie monofase e trifase, la modulazione di larghezza di impulso (PWM), il controllo dei motori, le perdite e le protezioni, con diagrammi ed equazioni.
Fundamentals · 5 min di lettura Elettronica di potenza September 4, 2026Semiconduttori di potenza SiC e GaN: perché la tecnologia WBG consente di raggiungere velocità elevate.
I MOSFET in SiC e gli HEMT in GaN utilizzano bandgap più ampi e campi critici più elevati rispetto al silicio per consentire una commutazione efficiente ad alta frequenza. Questa guida tratta argomenti quali fisica, perdite, pilotaggio del gate, interferenze elettromagnetiche (EMI), affidabilità e applicazioni, corredate da equazioni.
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