Leistungselektronik
Leistungselektronik — Ein strukturierter Lernweg durch Robotik, Regelung, kontrollierte Landwirtschaft, Energie- und Leistungselektronik.
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Von der Motordrehzahlregelung bis zur funktionsorientierten Regelung: Strom, Drehmoment und verschachtelte Regelkreise
Verstehen Sie, wie die Drehzahlregelung Strom anfordert und wie FOC rotierende Komponenten verbindet. coordinates, electrical angle and limits.
Fundamentals · 4 Min. Lesezeit
Leistungselektronik
September 7, 2026
Einführung in die Leistungselektronik – Verwendung von Halbleiterschaltern zur Umwandlung von Spannung, Strom und Frequenz
Leistungselektronik ist die Technologie zur Umformung elektrischer Energie durch schnelles Ein- und Ausschalten von Halbleiterschaltern. Dieser Artikel verknüpft Gleichrichter, DC/DC-Wandler, Wechselrichter, Pulsweitenmodulation (PWM), SiC/GaN-Chips, Motorantriebe, Netzanbindung und thermisches Design mit Mathematik und Wellenformen und erklärt deren Bedeutung für Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energien und Rechenzentren.
Fundamentals · 6 Min. Lesezeit Leistungselektronik September 4, 2026DC/DC-Wandler – Abwärts-, Aufwärts- und Trennwandler.
Ein DC/DC-Wandler zerlegt Gleichstrom und speichert die Energie in Induktivitäten oder Transformatoren, um eine neue Gleichspannung zu erzeugen. Dieser Leitfaden erklärt Funktionsweise, Steuerung, Verluste und Sicherheitsaspekte von Abwärts-, Aufwärts-, Abwärts-Aufwärts-, Sperrwandlern, LLC- und DAB-Wandlern anhand von Diagrammen und Gleichungen.
Fundamentals · 4 Min. Lesezeit Leistungselektronik September 4, 2026Wechselrichterschaltungen – Umwandlung von Gleichstrom in Wechselstrom
Ein Wechselrichter zerlegt Gleichstrom mithilfe von Halbleiterschaltern und erzeugt daraus die für eine Last benötigte Wechselspannung, -frequenz und -phase. Dieser Leitfaden behandelt ein- und dreiphasige Topologien, Pulsweitenmodulation (PWM), Motorsteuerung, Verluste und Schutzfunktionen anhand von Diagrammen und Gleichungen.
Fundamentals · 4 Min. Lesezeit Leistungselektronik September 4, 2026SiC- und GaN-Leistungshalbleiter – Warum WBG Geschwindigkeit ermöglicht
SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs nutzen im Vergleich zu Silizium größere Bandlücken und höhere kritische Feldstärken, um effizientes Schalten mit hohen Frequenzen zu ermöglichen. Dieser Leitfaden behandelt Physik, Verluste, Gate-Ansteuerung, elektromagnetische Störungen, Zuverlässigkeit und Anwendungen mit entsprechenden Gleichungen.
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