Elettronica di potenza
September 4, 2026
Semiconduttori di potenza SiC e GaN: perché la tecnologia WBG consente di raggiungere velocità elevate.
I MOSFET in SiC e gli HEMT in GaN utilizzano bandgap più ampi e campi critici più elevati rispetto al silicio per consentire una commutazione efficiente ad alta frequenza. Questa guida tratta argomenti quali fisica, perdite, pilotaggio del gate, interferenze elettromagnetiche (EMI), affidabilità e applicazioni, corredate da equazioni.
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