Electrónica de potencia — Guía de aprendizaje
Electrónica de potencia — Una ruta estructurada de robótica, control, agricultura en entornos controlados, energía y electrónica de potencia.
Una ruta estructurada de robótica, control, agricultura en entornos controlados, energía y electrónica de potencia.
- Fundamentals · 8 min de lectura
Introducción a la electrónica de potencia: uso de interruptores semiconductores para transformar voltaje, corriente y frecuencia.
La electrónica de potencia es la tecnología que permite transformar la energía eléctrica mediante la activación y desactivación de interruptores semiconductores a alta velocidad. Este artículo relaciona rectificadores, convertidores CC-CC, inversores, modulación por ancho de pulso (PWM), SiC/GaN, accionamientos de motores, interconexión a la red y diseño térmico con las matemáticas y las formas de onda, y explica su importancia para los vehículos eléctricos, las energías renovables y los centros de datos.
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Convertidores CC-CC: Reductores, Elevadores y Aislamiento
Un convertidor CC-CC corta la corriente continua y almacena energía en inductores o transformadores para producir otra tensión continua. Esta guía explica el funcionamiento, el control, las pérdidas y la seguridad de los convertidores reductores (buck), elevadores (boost), reductores-elevadores (buck-boost), flyback, LLC y DAB, con diagramas y ecuaciones.
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Circuitos inversores: Conversión de corriente continua a corriente alterna.
Un inversor procesa la corriente continua (CC) mediante interruptores semiconductores y sintetiza la tensión, frecuencia y fase de la corriente alterna (CA) que requiere la carga. Esta guía abarca topologías monofásicas y trifásicas, modulación por ancho de pulsos (PWM), control de motores, pérdidas y protección, con diagramas y ecuaciones.
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Del control de velocidad del motor al FOC: corriente, par y bucles anidados
Comprenda cómo el control de velocidad solicita corriente y cómo FOC conecta la rotación coordinates, electrical angle and limits.
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Semiconductores de potencia de SiC y GaN: por qué la banda prohibida ancha permite la velocidad.
Los MOSFET de SiC y los HEMT de GaN utilizan bandas prohibidas más amplias y campos críticos más altos que el silicio para permitir una conmutación eficiente de alta frecuencia. Esta guía abarca la física, las pérdidas, el control de puerta, la EMI, la fiabilidad y las aplicaciones, con ecuaciones explicativas.