Electrónica de potencia
September 4, 2026
Semiconductores de potencia de SiC y GaN: por qué la banda prohibida ancha permite la velocidad.
Los MOSFET de SiC y los HEMT de GaN utilizan bandas prohibidas más amplias y campos críticos más altos que el silicio para permitir una conmutación eficiente de alta frecuencia. Esta guía abarca la física, las pérdidas, el control de puerta, la EMI, la fiabilidad y las aplicaciones, con ecuaciones explicativas.
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