Leistungselektronik
September 4, 2026
SiC- und GaN-Leistungshalbleiter – Warum WBG Geschwindigkeit ermöglicht
SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs nutzen im Vergleich zu Silizium größere Bandlücken und höhere kritische Feldstärken, um effizientes Schalten mit hohen Frequenzen zu ermöglichen. Dieser Leitfaden behandelt Physik, Verluste, Gate-Ansteuerung, elektromagnetische Störungen, Zuverlässigkeit und Anwendungen mit entsprechenden Gleichungen.
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