#パワー半導体

SiC・GaNパワー半導体入門 — 高耐圧と高周波の理由

SiC MOSFETとGaN HEMTは、シリコンより広いバンドギャップと高い臨界電界を利用し、低損失・高周波化を可能にする。物性、損失、ゲート駆動、EMI、用途を数式で解説する。